فهرست مطالب

نشریه اپتوالکترونیک
پیاپی 3 (زمستان 1395)

  • تاریخ انتشار: 1395/12/01
  • تعداد عناوین: 7
|
  • محمدرضا رشیدیان وزیری*، افضل مصطفوی حسینی، علی هاشمی زاده عقدا، نرگس علیمرادیان صفحات 9-16
    در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس زمینه به روش مونت کارلو شبیه سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس زمینه و در فشار 50 میلی تور شبیه سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیه سازی ها مورد استفاده قرار گرفته اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یون های کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمع آوری شده اند. توزیع ضخامتی لایه ها با استفاده از اطلاعات یون های عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشان دهنده احتمال شکل گیری حفره در مرکز لایه های درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیه سازی بیانگر نقش موثر یون های کندوپاش شده از سطح لایه در شکل گیری این نوع حفره ها است.
    کلیدواژگان: لایه نشانی، لایه نشانی با لیزر پالسی، محاسبات مونت کارلو
  • مهدی عصری*، ایمان کامل جهرمی صفحات 17-26
    با حل معادلات تولید میدان عقبه در حضور میدان مغناطیسی خارجی، مشاهده کردیم که طول دفازه شدن و انرژی نهایی الکترون های شتاب گرفته به وسیله میدان عقبه به قطبش تپ و راستای اعمال میدان مغناطیسی وابسته است. به طوری که برای حالت اعمال میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار تپ لیزری با قطبش راست گرد، طول دفازه شدن با افزایش نسبت به دیگر حالت ها حدود پنج سانتی متر می شود و انرژی نهایی کسب شده به وسیله الکترون ها نیز به حدود  می رسد.
    کلیدواژگان: طول دفازه شدن، میدان مغناطیسی، میدان عقبه لیزری، شتاب الکترون
  • حسین غفوریان* صفحات 27-34
    در این مقاله اندرکنش پالس های لیزری فمتوثانیه با خوشه های اتمی آرگون بررسی شده است. یونیزاسیون، گرم شدن و انبساط خوشه نتیجه ای از این اندرکنش است. به دنبال این فرایند ها الکترون های داغ و پرانرژی و یون های با بار زیاد تولید شده که با تغییر مشخصه های لیزر و خوشه دست یابی به محصولات با بازدهی بالا امکان پذیر است. شبیه سازی این کار از طریق روش های عددی در مدل نانو پلاسما انجام شده و تحولات حالت های یونی خوشه بر حسب شدت های لیزری، شکل پالس متفاوت و تغییرات چگالی اتم های اولیه خوشه محاسبه شده است.
    کلیدواژگان: شبیه سازی، لیزر، نانوخوشه های آرگون
  • زهرا عینی* صفحات 35-42
    در این مقاله امواج جای گزیده TM ایجاد شده در فصل مشترک میان ساختارهای تناوبی دارای نقص ضریب شکست و محیط همگن اعم از معمولی و متاماده بر اساس طیف ATR بررسی و نشان داده شده است در حالتی که محیط همگن هوا باشد، دو دره در طیف ATR ایجاد می شود که یکی نشانگر مد سطحی و دیگری مد جای گزیده نقص است. همچنین پیدایش این مدها هم به میزان تغییرات ضریب شکست لایه نقص بستگی دارد همین طور نشان داده شده است در حالتی که فصل مشترک ساختار تناوبی متاماده قرار بگیرد، فقط امکان تشکیل مد جای گزیده نقص وجود دارد. علاوه بر این وقتی متاماده به عنوان نقص در ساختار تناوبی قرار بگیرد، فقط یک دره در طیف ATR ایجاد می شود که بسته به مقدار تغییر ضریب شکست، یا مد سطحی و یا مد جای گزیده نقص خواهیم داشت.
    کلیدواژگان: بلور فوتونی، امواج سطحی، متاماده
  • رضا سلمانی*، علی نوید صفحات 43-50
    در این مقاله روش موثری را برای کنترل امتداد و جهت مندی مولکولی، به وسیله برهم کنش مولکول با پالس لیزر دورنگی فمتوثانیه، ارایه می دهیم. بدین منظور، با استفاده از حل عددی معادله شرودینگر وابسته به زمان برای مولکول خطی مونوکسید کربن به رابطه ای برای کنترل امتداد و جهت مندی مولکولی می رسیم. سپس با استفاده از الگوریتم ژنتیک، بر روی پارامترهای پالس لیزری بهینه سازی صورت می گیرد. تابع ارزش مناسبی در الگوریتم ژنتیک معرفی و نشان داده می شود که می توان از این طریق کنترل مورد نظر را بهبود بخشید.
    کلیدواژگان: لیزر دو رنگی، جهت مندی مولکولی، الگوریتم ژنتیک
  • فرهاد ستاری*، صغری میرارشادی، امیرمسعود شکری، محمود محمدی ساری درق صفحات 51-58

    با توجه به اهمیت به کارگیری ساختارهای پروسکایتی در نسل جدید سلول های خورشیدی، مطالعه بر روی خواص الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها ضروری به نظر می رسد؛ بنابراین در این مقاله ابتدا ساختار پروسکایتی آلی - معدنی CH3NH3PbX3 با هالوژن های مختلف Cl و Br ،I X= سنتز شده، سپس تاثیر نوع هالوژن در ساختار مذکور بر روی خواص الکترونیکی آنها به طور تجربی مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با تغییر نوع هالوژن، به راحتی گاف انرژی این ساختارها را می توان کنترل کرد. از این رو امید می رود که بتوان از این ساختارها در ادوات الکترونیکی و اپتیکی بهره برد.

    کلیدواژگان: هیبرید آلی - معدنی، گاف انرژی، نورزایی
  • زهرا مجرد، ربابه طالب زاده* صفحات 59-66
    در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان گرد یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان گرد ایجاد می شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار مورد مطالعه می تواند به عنوان بازتابنده تمام سویه در بعضی از فرکانس ها مورد استفاده قرار گیرد.
    کلیدواژگان: بلور فوتونی، گاف باند ناهمسان گرد، محور اپتیکی
|
  • Mohammadreza Rashidian Vaziri *, Afzal Mostafavi Hoseini, Ali Hasheimizadeh Oghada, Narges Alimoradian Pages 9-16
    In this paper, Pulsed Laser Deposition (PLD) process at the presence of a background gas was simulated using the Monte Carlo method. Specifically, growth of aluminum metal in xenon background gas at the pressure of 50 mTorr was simulated. Target-to-substrate distances of 10, 15, 20, 25 and 30 mm are used in simulations. Spatial and energy information of the ions in the ablated plasma plume that forms in this method, as well as the sputtered ions from the growing thin film were collected. Thickness profile of the growing thin films was calculated using the spatial information of the transmitted and the sputtered ions. The results showed the possibility of dip formation at the center of the grown thin films with this method and its intensification by decreasing the target-to-substrate distance. The simulation results demonstrated the effective role of the sputtered ions from the growing thin film in the formation of this type of dips.
    Keywords: Thin Films, Pulsed Laser Deposition, Monte Carlo Calculations
  • Mehdi Asri *, Iman Kamel Jahromi Pages 17-26
    Solving of laser wakefield equations in the presence of external magnetic field, we observed that the dephasing length and final energy of accelerated electron by wakefield depend on polarization of laser pulse and applying direction of magnetic field. As for the case of applying magnetic field in the opposite direction of right polarized laser pulse propagation, the dephasing length with increment rather than other cases is about 5cm and final energy gained by electron reaches to about .
    Keywords: Dephasing Length, Magnetic field, Laser Wakefield, Electron Acceleration
  • Hosein Ghaforyan * Pages 27-34
    In this paper we studied the interaction of femtosecond laser pulse with atomic cluster of Ar. Ionization, heating and expansion of the cluster was the results of this interaction. Following this process, hot and energetic electrons and high charge state of ions were produced. By changing the characteristics of the laser and cluster, it is possible to achieve high efficiency products. Simulation of this work done with the numerical method in Nano plasma model and the evolution of charge state of ions for the various intensity of laser, different pulse shape and different initial ion density are calculated.
    Keywords: Simulation, Laser, Argon Nanocluster
  • Zahra Eyni * Pages 35-42
    In this paper, the TM localized waves produced at the interface of homogeneous media and defective photonic crystals has been studied. The considered homogeneous medium can be a left-handed or a conventional material. It was found that for the conventional medium, in case of defect in the refractive index of photonic crystal layer, two type's waves as surface and defect localized waves can be created. Where, for the case of LH medium, only defect waves can be formed. Moreover dependence of ATR spectrum of the TM localized waves on the defect position and refractive index of defective layer has been discussed.
    Keywords: Photonic crystals, Surface Waves, metamaterials
  • Reza Salmani *, Ali Navid Pages 43-50
    In this paper, we present an effective scheme to control molecular alignment and orientation by interaction of molecule with Two-color femtosecond laser pulse. For this purpose, we use numerical solution of the time - dependent Schrodinger equation for a linear molecule of carbon monoxide to achieve the control of Molecular Alignment and Orientation. Afterward, by using the Genetic algorithm, optimization on parameters of laser pulse take place. A suitable cost function was introduced in Genetic algorithm and showed that we can improve the intended control in this approach.
    Keywords: Two-color Laser, Molecular Alignment, Genetic Algorithm
  • Farhad Sattari *, Soghra Mirershadi, Amirmasoud Shokri, Mahmoud Mohammadi Sari Dargh Pages 51-58

    According to the recent remarkable developments of lead halide perovskite solar cells, investigation of the optical and electronical properties of perovskite structures seems necessary. In this paper, firstly Organic–inorganic CH3NH3PbX3 perovskite hybrids with X= Cl, Br and I were prepared by solution chemistry method. The effect of halogen atom on the electronical properties in this structure was studied experimentally. Our study concludes that the band gap energy can be tuned by varying the halogen atoms. Thus we believe that our studies will be beneficial for the fabrication of electronic and optical devises.

    Keywords: Organic - Inorganic Hybrid, Band Gap Energy, Photoluminescence
  • Zahra Mojarrad, Robabeh Talebzadeh * Pages 59-66
    In this study, the transmission spectrum of an anisotropic photonic crystal using a transfer matrix method for both of polarization state TE and TM. We showedthat the Bragg gap, so called, anisotropic Bragg gap is created in transmission spectrum due to existence of anisotropic layer in structure. The results showed that the anisotropic Bragg gap strongly anisotropic layer and the optical axis of the incident beam angle dependent. The structure of the study can be considered as reflecting all of the frequencies to be used in some way.
    Keywords: Photonic Crystal, Anisotropic Band Gap, Optical Axis